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诺斯洛普格拉曼是一家高科技公司，其作为主要的承包商，首要转承包商，组织人员或优先供应商的形式为它的美国和国外的军方，政府和商业客户提供系统同化，防卫电器和信息技术的创新解决方案。

经营范围：空气动力学研究及飞机产品制造、飞机配件及主要设备造、计算机系统设计、轮船制造及修理、汽车及客车制造、航天科学。

与诺斯洛普格拉曼公司的价值观及业务行为准则保持一致,是我们最重要的工作场所职责之一。我们制定了很高的道德标准。遵守这些标准及严格执行所有美国与外国法规条例不仅是法律的要求,也是诺斯洛普格拉曼公司每一位员工的道德责任。无论员工担任何种职务或职责,这一承诺适用于每一个人。这一承诺亦适用于以任何形式代表本公司的公司外部人士。所有的人均须对自身行动的诚信与结果负责。公司有关道德的政策、程序和出版物以及道德网站、您所在地的业务行为主管(BCO)及开放专线(1.800.247.4952)可提供有关公司在这方面对员工的期待,并可回答您的问题。

诺斯洛普格拉曼关系

1) 与客户的关系 : 我们期待我们的政府及商业客户基于品质、服务及价格选择我们的产品。我们以公开及坦诚的态度从事业务，我们不受任何不当的影响。我们的政策、程序及业务运作避免出现此类影响。所有的产品必须与客户在合约中制定的规格完全相同，并须执行所有的测试与品质保证步骤。对合约所作的任何更改均须事先获得签约机构及授权客户代表的书面许可。我们的业务性质要求我们特别关注政府机构为员工制定的严格标准。通常,不得向任何实际或可能的政府客户或代表提供任何业务招待, 例如礼品、娱乐、服务或优惠。与政府合约或子合约相关之非政府人员交往时,亦适用于相同的限制。由于已经执行或即将执行的官方行为向政府员工提供任何物品属于犯罪行为。此外,向任何人提供、索取或接受任何人的有价值物品用于换取政府合约或子合约的优惠条件被称为回扣,属于犯罪行为。最后,向商业、非政府客户提供的业务招待必须显示良好的业务判断力,并须合理(例如,并非经常或奢侈)、合法、且提供的方式不会损害诺斯洛普格拉曼公司的公正与公平交易的声誉。

2) 与供应商的关系 : 可提供帮助、友好、专业化的关系对任何企业都甚为重要。在培养与供应商之间的此种关系的过程中,我们还必须保持诚实、客观及有效的采购程序。购买材料与服务必须符合诺斯洛普格拉曼公司的采购政策与程序。诺斯洛普格拉曼公司的员工及直系亲属不得向我们的供应商索取或接受供应商的礼品、付款或小费。(可接受小额促销物品。)在诺斯洛普格拉曼公司的供应商或正在申请成为诺斯洛普格拉曼公司的供应商所拥有的任何财务利益均须向本公司报告。诺斯洛普格拉曼公司在这方面的政策超过法律禁止的回扣范围。我们甚至必须在我们的业务交易中避免看起来不适当的行为。除非在公司的书面程序中具体规定,不允许这些标准有任何例外情况。

利益冲突

每一位诺斯洛普格拉曼公司的员工都承担一份受讬之责。无论是在工作中还是在工作之外的时间,我们都必须对任何可能损坏此种信任或导致其他人怀疑我们的公平性或我们行为或决定的良好用意的情形高度警惕。涉及您本人或您的直系亲属与诺斯洛普格拉曼公司的个人或财务利益冲突的情形必须予以避免。如果您本人或任何家庭成员在任何向诺斯洛普格拉曼公司供应物品或服务或正在投标或申请诺斯洛普格拉曼公司工程的公司拥有重大财务利益,您必须立即向管理人员汇报,并填写「利益冲突表」(C-196)以书面形式报告。

在担任与诺斯洛普格拉曼公司竞争、交易或担任诺斯洛普格拉曼公司供应商的公司、组织或政府机构或涉及国防工程的公司、组织或政府机构的顾问、董事、受讬人、管理人员或员工之前,您必须获得管理人员的书面许可。如果您建议使用某一特定供应商或批准使用某一特定供应商的建议或采取类似措施,并且知道您的一位家庭成员或另一位诺斯洛普格拉曼公司员工的家庭成员被该供应商聘用或控制该供应商的重大利益,您应当在了解到这一情况后立即以书面形式向您所在公司分部的材料部主管报告。并非亲属关系但可能导致影响您的客观判断力的亲密个人关系亦应当报告。潜在利益冲突可能会涉及客户、供应商、现有员工或可能成为员工的人士、股东或我们生活与工作的社区成员。即使您是最谨慎的人,利益冲突也可能会对您产生影响,存在利益冲突本身可能导致人们对您的行为的诚意表示怀疑。避免出现利益冲突与避免实际利益冲突同样重要,因为其他人通常会按照自己的想法对情形作出判断。如果您在这方面有任何问题,请寻求帮助与指导。

诺斯洛普格拉曼公司资源

诺斯洛普格拉曼公司可提供并帮助您完成本职工作的资源，包括时间、材料、设施、设备、资讯与服务。除非经管理人员批准用于其他具体用途，这些资源仅限用于经授权的业务目的。

1) 时间 : 在您每周签署签到卡或以电子形式报告工时时，您证明该记录准确地反映了您用于工作的时间。严禁不适当地在不同的合约之间转移费用、不适当地收取非合约规定的技术活动费、不适当地收取人工或材料费以及在签到卡中谎报工时。您填写的资讯的准确性会直接影响我们的成本核算系统依赖的资料的准确性。随意或粗心大意导致的错误报告或错误收费将导致纪律处罚，最严重的处罚包括解聘。

2) 财产 : 政府及公司拥有的设备(包括电话、传真机及计算机)应当仅限用于经授权的业务目的。例外情况必须具体说明,并获得管理人员的许可。此类设备不得用于会影响正常工作的目的或用于传送可能被视为无礼或在其他方面违反公司程序的讯息。对公司拥有的财产负责意味著应当按照公司的程序以适当的方式使用、维护、负责及（必要时）适当处置公司财产。未经授权取走公司或政府的财产可能被视为偷窃。此外，员工应当以同样的态度尊重目前或未来的客户或供应商。客户的财产需适用于合约需求及政府条例的规定。

3) 资讯 : 根据本公司的法律及大多数国家的法律,能够带来竞争优势的资讯、知识或方法被视为智慧产权。智慧产权是与金钱、财产、时间或技能同等宝贵的资产,必须仅限用于经授权的公司业务目的。员工必须保护诺斯洛普格拉曼公司的专有或私人资讯,此类资讯可能包括技术设计、员工记录或在合作夥伴或团队项目中了解到的资讯。在从事业务的过程中,我们不会寻求任何我们没有资格获得的资讯,特别是涉及本公司的任何竞争性投标资讯。我们尊重版权,并遵守计算机软件的特许要求。诺斯洛普格拉曼公司的员工不得将有关本公司业务的任何资讯用于获取个人利益,除非该资讯已向公众提供,其使用已经获得公司程序许可。未经授权使用此类资讯不仅可能违反公司的程序,并且可能导致违反法规条例的行为,例如知情者交易、反托拉斯、出口控制等。诺斯洛普格拉曼公司遵守国防部有关处理政府保密资讯的要求。所有保密文件必须严格按照您所在部门的保安程序的要求处理与保管。

4) 费用：诺斯洛普格拉曼公司将支付员工在执行工作的过程中出现的合理费用。此类费用必须符合公司程序的要求，并须适当记录。报告必须准确，及时提交，必须特别注意任何涉及与客户与供应商的业务会议费用。

5) 记录 : 公司资源的使用、支出及弃置必须按照公司程序的要求记录。所有因会计目的过户的费用或对公司记录作出的任何变动均须获得适当的许可,并须适当记录。严禁管理人员、经理、员工或任何公司代理人违反公司的内部控制系统规定或在公司记录文件中提供误导资讯。有关内部控制的资讯,请参阅「公司政策」F1条及「公司程序」F101条。国际事务

代表本公司在国外工作或在美国的国际企业中工作的员工、顾问或代理人应当认识到,本公司的价值观与行为准则适用于世界各地的员工、顾问或代理人。任何不严格执行适用于本公司国际业务行为法规条例的行为均被视为对我们的价值观与行为标准的损害。

1) 出口控制 : 此为在处理出口产品时应当遵守的具体法规条例,出口产品指向美国或国外的外国人士以及向外国的美国公民提供的物品或知识。包括的物品或知识可透过以下不同的方式提供:有形或物质的方式、谈话或通话的口头方式、透过电子邮件、因特网、传真或任何其他方法以电子形式传送的方式。出品产品需要获得政府特许或书面许可。为某一固定阶段发放的特许必须具体说明出口的物品、服务或资料。

2) 反外国腐败行为法：简称FCPA,该法案的目的是为了防止美国公司代表为了获得不适当的业务利益贿赂外国官员。该法案禁止为了影响个人或政府的官方行为以便获得此类利益向外国政府官员、政党、政党官员或候选人直接或间接提供付款或任何有价值的物品。

3) 其他国家的法律 : 遵守公司的价值观与业务行为准则并严格遵守所有美国及外国法规条例,不仅是对全体员工及所有在世界各地代表诺斯洛普格拉曼公司利益者的法律要求,而且是不可推卸的道德责任。

名古屋工业大学

名古屋工业大学纳米器件及系统研究中心是由著名专家梅野正义教授创立，在现任主任江川孝志教授的领导下，包括邵春林教授在内的华人博士团队长期致力于以硅为衬底的氮化镓（GaN）系化合物半导体的研究。 该中心的主要研究课题是“硅衬底基片上的GaN系外延片生长技术、LED、HEMT”研究。该项课题研究从2003年开始，到2005年结束，历时3年。此外，还同时与日本大阳日酸公司共同开发MOCVD，与日本冲电气共同研发电子设备。2003年度，成功开发了2英寸的衬底基片、氮化镓系的外延片生长及其各种设备。 2004年度，该中心又成功开发了硅衬底基片上4英寸的InGaN的LED和AlGaN/GaN的HEMT。目前，正在利用日本大阳日酸公司开发的专门针对6英寸硅衬底基片的设备，开展6英寸的外延片生长技术的相关研究。 另一项课题是“调谐环境型高功能纳米传感器、材料开发”。该项课题将历时5年，主要目标是：使蓝宝石基片上能够生长出高质量的外延片（AlGaN/GaN）结晶，开发出能够在4英寸基片上生长出均一的外延片结晶的MOCVD设备、使AIN固态溶化在GaN上，开发出禁带宽度更宽的半导体紫外线传感器。

名城大学

名城大学的赤崎勇教授是全球LED领域的先驱。开发的蓝光LED、紫光LD，直接或间接地给产业界带来了恩泽。随着紫光LED在实际生活中的应用逐步得到普及，目前又开始致力于从AIN基片制作到外延片的生长、高效率发光以及医疗或加工专用设备的制作等多方面的研发工作。 利用独特的高温生长法与化合反应，在低压下制造出大型的晶锭，以求象GaAs衬底一样，通过切割高效地获得衬底。与此同时，他们还试图在AIN衬底上生长出氮化合物系的外延片，以求制作出高品质的晶体和纳米结构。

在激光的紫外领域，将其波长缩短的竞争在全球一直持续不断。名城大学于2004年3月发表了世界最短的波长仅为350.9nm紫外激光的论文，再一次显示了其居于世界领先水平的氮系化合物半导体的技术实力。之后，美国的能量（power）半导体、LED厂商CREE公司在学会上公布：他们已经实现了343nm波长的紫外激光。名城大学的研究成果中，在活性层中使用了GaN而没有加入Al，CREE公司却有可能在活性层中加入了Al，因此在这个层面上，他们两家开始了第二轮竞争。 世界上很多企业和研究机构都在加快高效白光LED的开发。名城大学已在研究项目中，把实现量子效率达32％、发光效率达80lm/W当成他们的目标。该项研究在日本科学技术振兴机构的资助下，从2004年开始，将用3年的时间完成。

化合物半导体设备装置的最新动向

MOCVD设备和MBE设备市场，由于各公司在2000年以GaAs系为中心进行了大量投资，因此自2001年以后，其增长呈现出放缓的趋势。不过，在MOCVD设备市场，虽然GaAs系的电子设备和InP系的通信专用半导体激光的需求有所下降，但是在手机专用背光、车载、照明器械等领域，GaN系的蓝光和白光LED的应用却相当活跃，DVD的蓝紫色半导体激光、GaAs系的红光LED的需求仍很坚挺，呈现出整体上涨的趋势。全球量产的MOCVD出货量估计在2003年为80－100台，2004年将会有所上升。 随着以GaN系LED和蓝紫色半导体激光为中心的设备不断地增长，MOCVD的需求也在逐步扩大。此外，随着设备的高功率化和芯片尺寸的大型化，基片的需求也会逐步呈现出大口径化的趋势，其处置设备也将随之增大。

在MOCVD和MBE设备的供货商中，欧美企业的技术实力在全球首屈一指。

化合物半导体结晶、外延片的最新动向

单结晶技术、外延片技术成为关键技术。化合物半导体单晶片衬底材料主要有：用于低亮度型LED的GaP衬底；用于高亮度四元系LED、红外LED、光盘用半导体LD、手机等移动电子设备上的GaAs衬底、通信专用LD上的InP衬底。除此以外，最近，以蓝光LED为代表的GaN系LED制造专用的蓝宝石衬底的增长非常显著。此外，外延片的生长也成为该领域的关键技术。以下为主要蓝光化合物半导体材料的动向。

GaN

目前的主流制作GaN结晶方法是MOCVD法。不过，它的最大课题是，通过量产技术的确立从而实现稳定的供货能力。GaN衬底最早由日本的住友电工确立了量产技术。除此以外，日立电线、古河机械金属、CREE等公司也计划参入该领域。

蓝宝石

单结晶蓝宝石基片作为蓝光和白光LED专用基片，其需求正呈逐年上升的趋势。按出货量来算，它每年的平均增幅约为20％。2004年预计全球的出货量大约为25万枚（按2英寸的来计算）。在蓝宝石基片上制作LED时，需要在绝缘的一面取2个电极，因此它的芯片比其他的导电性基片的尺寸要大，但是其生产成本低的优势使其遥遥领先于其他材料。在它的供货当中，2英寸的占据了一大半的比例，3英寸和4英寸的需求也呈逐渐升高的趋势。

蓝宝石单结晶的作法主要采用EFG法、CZ法等。LED一般采用C面的蓝宝石。最近，随着LED的亮度越来越高，对基片厂商的要求也越来越严格。不仅在结晶的精度方面有很高的要求，对基片的平坦程度、洁净度等后加工的精度和品质的要求也在逐步提高。针对这些要求，基片厂商也在积极地摸索对策。

2005年，LED厂商在不断加强前工程的能力，因此，市场形势整体来说还不错。而且，SOS（Silicon on sapphire）技术很快就要实现实用化，因此，在IC和电子设备专用市场，有可能会产生新的需求。对此，厂商们纷纷开始做SOS专用R面基片的量产准备。大口径化也将是今后的一个重要课题。

SiC

2004年SiC基片的市场规模大约达到25万枚－30万枚。其中8成以上被用作GaN－LED的衬底。随着GaN－LED市场规模的急剧扩大，SiC基片的需求也呈增长势头。在SiC基片市场中，美国的CREE公司独占鳌头。该公司的市场份额有可能会高达85％－90％。该公司同时还自己生产蓝光和白光的GaN－LED芯片，生产规模估计大约在3.5亿个。 除了年产超过20万枚的美国CREE公司以外，大多数公司的生产能力停留在月产数百－数千枚的程度。各公司都处于一边观察着市场动向，一边谨慎进行增产投资的阶段。 目前，SiC基片市场已成为LED强大的牵引力。开发的关注点也从LED转向高能器件。今后高能器件专用市场的衬底将有很大的增长幅度。使用SiC制作高能器件时，能够制造出比硅效率更高、耐用性更强的高能器件。实际上，目前很多公司都在积极尝试着利用SiC制造高能器件。 现在SiC市场主要以4H、6H衬底居多。6H主要用于LED，但是基片生产商的开发焦点正在向适用于高能器件上的4H衬底转移，试图实现4H衬底的高品质化。 另一方面，不止是4H、6H这一类六方晶体衬底，立方晶体SiC也有所抬头。3英寸以上的大口径化也成为该领域的开发重点。CREE公司率先实现了3英寸化，其他公司仍在努力实现3英寸化。不过，从用户方面来看，4英寸化的需求也非常大。因此，各公司的开发关注点也在逐渐向4英寸化转移。只是在大口径化方面，立方晶体衬底比六方晶体衬底要更有优势，更加容易实现大口径化。因此，我们可以预见，今后在高能器件市场，4H衬底与立方晶体衬底之间将会发生激烈竞争。